2-1-1-1 پاسخ خطی طیف اپتیكی…………………………………….. 51
2-1-2 طیف الکترونی در KS-DFT…………………………………….
2-2 شبه- ذرات و روش توابع گرین…………………………………….. 56
2-2-1 نمایش شبه- ذرات و تابع طیفی…………………………………….. 59
2-2-2 پنج ضلعی هدین…………………………………….. 60
2-2-3 تقریب GW………………………………………
2-3 روش بته- سالپیتر: معادله ی دو- ذره ای مؤثر……………………….. 66
2-3 -1 اجزاء و تقریب های BSE……………………………………..
فصل سوم: مطالعه ساختار الكترونی نانو صفحه تك لایه و دو لایه ششضلعی بورن- نیترید
3-1 خواص ساختاری و الكترونی دو لایه شش ضلعی بورن- نیترید………… 78
3-2 مدل بستگی قوی برای تك لایه و دو لایه بورن- نیترید…………………. 81
3-2-1 شبكه لانه زنبوری h-BN……………………………………..
3-2-2 روش كلی…………………………………….. 83
3-2-2-1 ماتریس انتقال H……………………………………..
3-2-2-2 ماتریس همپوشانی S…………………………………….
3-3 نظریه تابعی چگالی…………………………………….. 87
3-4 نتایج انطباق طیف انرژی بین DFT و TB برای تك لایه و دو لایه بورن- نیترید……..88
فصل چهارم: مطالعه خواص الكترونی و اپتیكی دو لایه ششضلعی بورن- نیترید، نتایج
4-1 مقدمه……………………………………. 99
4-2 روش محاسبات……………………………………… 99
4-3 بررسی خواص الكترونی و اپتیكی……………….. 102
4-4 جمع بندی…………………………………….. 113
پیوست
فعالیتهای پژوهشی…………………………………….. 116
چکیده:
امروزه بطور گسترده ای نانو صفحات چند لایه ششضلعی بورن- نیترید، بعلت خواص الكترونی و اپتیكی بسیار جذاب آنها، بطور تجربی و نظری مورد مطالعه قرار گرفتهاند. هدف اصلی این پروژه بررسی خواص الکترونی و اپتیکی نانو ساختارهایی همچون، نانو صفحات بورن- نیترید، با استفاده از نظریههای GW و BSE در محدوده پاسخ خطی میباشد. در مبحث خواص الکترونی ما به محاسبه انرژی و ساختار نواری و طیف چگالی حالت شبه- ذرات خواهیم پرداخت. همچنین، از یك مدل بستگی قوی برای ساختار نواری تك- لایه و دو- لایه بورن- نیترید استفاده میكنیم و شاخصهای جهش و انرژیهای جایگاهی را با استفاده از انطباق طرح بستگی قوی و دادههای نظریه تابعی چگالی بدست خواهیم آورد. در مبحثخواص اپتیکی، قسمت های حقیقی و موهومی (جذب اپتیکی) تابع دیالکتریک، در اثر قرار دادن نانو صفحه در دو راستای میدان موازی (قطبش موازی) و میدان عمودی (قطبش عمودی)، و همچنین انرژی و اثرات اکسیتونی و تابع توزیع احتمال الکترون در اثر قرار دادن مکان حفره در جایگاه ثابت، را بدست خواهیم آورد.
بنابراین، با توجه به اینکه محاسباتی در زمینه تاثیر آثار بس- ذرهای برای نانو صفحات چند لایه ششضلعی بورن- نیترید انجام نشده است، این نتایج برای مطالعات تجربی و نظری آینده روی اینچنین ساختارها میتواند مفید باشد.
پیشگفتار:
در سالهای اخیر، پژوهشهای گستردهای در زمینه سامانههاینانو ساختارانجام شده است، بخصوص با كوچكتر شدن اجزای تشكیل دهندهی قطعات الكترونیكی، بررسی نانو ساختارها اهمیت زیادی در زمینه علوم و صنعت پیدا كرده است. خواص فیزیكی این نانو ساختارها، بویژه خواص الكترونی و اپتیكی آنها، به رفتار و حالتهای الكترونی آنها بستگی دارد. از اینرو، محاسبه حالت های الكترونی مواد و تعیین ساختار نواری انرژی در آنها از مهمترین مباحث پژوهشی نظری و تجربی در فیزیكماده چگالاست. با توجه به این كه بطور کلی گاز الكترون در یك جامد یك سامانه برهم كنشگر است، بنابراین راه حل اساسی برای محاسبه حالتهای الكترونی مواد به حل مسئله بس- ذرهای منتهی میشود. از اینرو، از آغاز پایه گذاری علم فیزیك ماده چگال، تلاش پژوهشگران بر این بوده است تا بعنوان یك تقریب، مسئله بس- ذرهای گاز الكترون جامد را به یك مسئله قابل حل تبدیل نمایند. كلیه متون مربوط به زمینه ماده چگال و روشهای مختلف و گوناگون محاسبات ساختار نوارهای انرژی الكترونی جامدات، حكایت از به كارگیری انواع تقریبهایی است كه برای حل معادله شرودینگر انجام میشود. خوشبختانه علیرغم تقریبی بودن روشهای بس- ذرهای، این روشها موفقیت عملی فوقالعادهای را از خود نشان دادهاند و بنابراین در مواردی كه پیچیدگیهای ناشی از آثار برهمكنش الكترونها در رفتار نهایی سامانه مؤثر باشند باید در حد امكان و با روشهای مختلف حداكثر آثار بس- ذرهای را در محاسبات دخالت داد. در هر صورت باید توجه داشت که هر روش تقریبی گستره اعتبار خاصی دارد.
اما امروزه، هدف اغلب پژوهشهای نظری بر پایه مکانیک کوانتوم، در زمینه مباحث فیزیک ماده چگال و شیمی، یافتن برهمکنشهای اصلی نمیباشد بلکه پرداختن به حل معادله شرودینگر از یک تابع هامیلتونی مشهور است که از حل آن اطلاعات مفیدی حاصل میشود. به هرحال این هامیلتونی یک مسئله بس- ذرهای را توضیح میدهد و برای تعداد بیشتر از 10 الکترون، حل دقیق آن از لحاظ عددی عملاً امکان پذیر نیست. بعلاوه حل دقیق آن، شامل مجموعهای از اطلاعات است که بدون سادهسازی و تجزیه و تحلیل، به سختی قابل فهم است و برای یک مسئله و شرایط مشخص حاوی تعداد زیادی جزئیات است، که احتمالاً مورد علاقه نیست [1]. بنابراین بازنویسی مجدد مسئله و کار با توابع هامیلتونی مؤثر یا مقادیر انتظاری انتخاب شده که برای حل یک مسئله کاهش یافته مناسب میباشند، اغلب بهتر است. این روش بطور ایدهال هم محاسبه و هم تجزیه و تحلیل مقادیر مدنظر را ساده خواهد نمود.
نظریه تابعی چگالی[1] (DFT) [2و3] یكی از متداولترین روشهایی است كه برای محاسبات خواص حالت پایه طراحی شده است و بر پایه اطلاع از تابع چگالی n(r) بجای تابع موج بس- ذرهای كاملاز یك سیتم N ذرهای پایهگذاری شده است. مبانی نظریه DFT بر اساس نظریه هوهنبرگ-كوهن- شم [2] بصورت زیر است:
1- چگالی الکترونی حالت پایه از یک سامانه برهمکنشی از الکترون، میتواند بطور کامل، پتانسیل خارجی v®، که الکترونها تجربه میکنند و بنابراین هامیلتونی، تابع موج بس- ذرهای، و همه کمیتهای مشاهده پذیر از سامانه، را تعیین کند.
2- یک تابعی F[n]وجود دارد بطوریکه انرژی کل E[n] میتواند بصورت زیر نوشته شود:
(1-1)
این F یک تابعی عمومی است بطوریکه وابستگی تابعیاش به چگالی برای همه سامانههای با برهمکنش ذره- ذره مشابه، یکسان است.
- حالت پایه این سامانه را میتوان از طریق کمینه کردن تابعی انرژی کل E[n]برحسب چگالی بدست آورد.
معادلات كوهن- شم [2](KS) که در سال 1965 معرفی گردید، نظریه تابعی چگالی را به ابزاری خاص برای بدست آوردن چگالی حالت پایه تبدیل كرد. كوهن- شم سامانه برهمكنشگر واقعی را كه در آن تمام الكترونها به هم مربوطاند و تحت تأثیر پتانسیل واقعی سامانه قرار دارند را با سامانهای غیر برهمكنشگر كه در آن ذرات در معرض پتانسیل مؤثری قرار میگیرند، عوض كردند. با معرفی یك سامانه فرضی، سامانه کوهن- شم، شامل الكترونهای بدون برهمكنشی و با اعمال یك میدان متوسط موضعی شامل پتانسیل هارتری، پتانسیل خارجی و برهمكنشهای تبادلی- همبستگی[3](xc)، در روشی مشابه با روش هارتری- فوك به معادلات خود- سازگاری رسیدند كه با روش آنها چگالی حالت پایه سامانه محاسبه میگردد. با قرار دادن این چگالی در تابعی انرژی، انرژی حالت پایه محاسبه میشود. درطرح کوهن- شم، الکترونها ازیک معادله شروینگر تک- ذرهای ساده با یک پتانسیل خارجی مؤثر vKSپیروی مینمایند:
(2-1)
اوربیتال كوهن- شمiφ و ویژه مقادیر كوهن- شمiε بدست آمده، بطور کلی دارای یک معنی و مفهوم فیزیکی مستقیمی نمیباشند اما برای ساختن چگالی درستی از سامانه برهمكنشی بر طبق رابطه زیر استفاده میشوند:
(3-1)
با توجه به اینكه vKSتابعی از چگالی الكترونی است، این معادلات باید بصورت خود سازگار حل شوند. پتانسیل مؤثر vKSمعمولاً بصورت زیر نوشته میشود:
(4-1)
در این معادله، جمله اول پتانسیل خارجی، برهمكنش كولنی بین الكترونها و هسته، میباشد و جمله دوم شامل قسمت كلاسیكی برهمكنش الكترون- الكترون (هارتری) میباشد. پیچیدگی مسئله در پتانسیل همبستگی- تبادلی vxc[n]® نهفته است كه بصورت vxc[n]®=δExc[n]/δn® تعریف میشود كه در آن Exc[n] انرژی همبستگی- تبادلی است.
تقریبهای بسیار مؤثری برای محاسبه Exc[n] بیان شده است، نظیر تقریب چگالی موضعی[4] (LDA) [3] یا تقریب گرادیان تعمیم یافته[5] (GGA) [4] و بسیاری از خواص حالت پایه نظیر پارامترهای شبكه یا فركانسهای فونونی، امروزه با استفاده از اصول اولیه با دقتی حدود چند درصد محاسبه میشوند. با این وجود خاصیتهای حالت پایهای وجود دارند که حتی برای سامانههای ساده بخوبی انجام نشده است. تنها حدود 10% از انرژیهای پیوندی در LDA محاسبه میشوند و یا گزارشهای نادرستی كه برای خاصیتهای پاسخ استاتیك، همانند ثابت دیالكتریك∞ε، كه اغلب بطور قابل ملاحظهای زیاد محاسبه میشوند، بیان شده است [5]. سامانههای همبستگی قوی نیز مثالی است كه تقریبهای ذكر شده بالا قادر به توصیف خواص الكترونی و اپتیكی آنها نمیباشند [6]. اینچنین مسئلههایی در محاسبه خاصیتهای حالت پایه، در اعتبار استفاده از تقریبهای بكارگیری شده، محدودیتهایی ایجاد میكند.
نکته مهم دیگر از حالت پایه مربوط به نظریه تابعی چگالی كوهن- شم، برانگیختگیها (پاسخ اپتیكی به میدان الكتریكی وابسته به زمان) میباشند كه در این نظریه قابل دسترس نیستند. البته هیچ اشكالی به تقریبهای موجود وارد نیست، بلكه واقعیت این است كه نظریه تابعی چگالی برای توصیف چنین پدیدههایی کارآمد نیست. در حقیقت، حتی اگر بتوانیم ویژه مقادیر كوهن- شم را بصورت دقیق محاسبه كنیم، اختلاف آنها لزوماً نزدیك به انرژیهای برانگیخته اندازهگیری شده، نخواهد بود و دوم اینكه آنها برای انرژی الكترونهای اضافه شده یا حذف شده هیچ توضیحی ندارند. بنابراین شکاف انرژی كوهن- شم در گزارشات عمومی نسبت به شکافهای انرژی اندازهگیری شده، بسیار كوچك است كه این به تقریبهای انتخاب شده برای پتانسیلهای همبستگی- تبادلی وابسته است. اگر بخواهیم با یك هامیلتونی مؤثر كه بتواند ویژه مقادیر را برای انرژی الكترونهای اضافه شده به سامانه یا حذف شده از آن، یا بعبارت دیگر انرژیهای برانگیختگی، تعیین کند کار کنیم، اطلاع از چگالی حالت پایه کافی نیست. برای این منظور دو رهیافت ویژه را مورد توجه قرار میدهیم:
ابتدا، چگونگی انتشار و نوسانات ذرات در سامانه مورد نظر را بررسی میکنیم كه منجر به پیدایش توابع همبسته مرتبط با توابع پاسخ میشود (همانند پاسخ خطی برای جذب اپتیكی) بطوریکه این توابع همبسته، توابع گرین تك ذره، دو ذره و یا مراتب بالاتر هستند. با استفاده از تابع گرین تك- ذرهای كه مربوط به انتشار الكترون یا حفره است، میتوان انرژی الكترون اضافه شده یا حذف شده را اندازهگیری كرد. بعنوان مثال میتوان به آزمایشات اندازهگیری مستقیم و معكوس تابش نور به ماده اشاره کرد[6]. علاوه بر این انرژیهای برانگیختگی را میتوان از قسمت حفره- ذرهی تابع گرین دو ذره ای، كه به سهم خود قطبهایی در انرژیهای برانگیختگی دارد، بدست آورد. بخش کاهشپذیر از تابع چهار- نقطهای L(r,r1,r´,r1´) مربوط به تابع گرین دو- ذرهای، منجر به تابع پاسخ دونقطه ای (r,r´, ω)χ میشود كه طیف قابل اندازهگیری، همانند طیف جذب و یا طیف اتلاف انرژی الكترون[7](EELS) را مشخص میكند. نظریه اختلال بس- ذرهای[8] (MBPT)، چارچوبی از تقریبهای مناسب برای اینچنین توابع گرین، كه قابل دستیابی هستند، ارائه میدهد. بطور خاص تقریب GW، كه در سال 1965 بوسیله لارس هدین[9] [7] معرفی شد، بصورت بسیار موفق انرژی الكترونهای اضافه شده یا حذف شده برای فلزات، نیمرساناها و نارساناها را توصیف میكند و بنابراین یكی از روشهای مورد انتخاب برای توصیف آزمایشهایی همچون اندازهگیری مستقیم و معكوس تابش نور به ماده می باشد. در خصوص برانگیختگیهای طبیعی، معادله بته – سالپیتر[10](BSE)، نقطه شروع خوبی برای تقریبهایی از χ [11-8] خوهد بود. بنابراین، برای یك توصیف كامل و درك فیزیكی قابل اطمینان از یك سامانه برهمكنشگر، بعلت ظاهر شدن توابعی نظیر L(r,r1,r´,r1´) كه مهمترین خاصیت آنها غیر جایگزیده بودن آنهاست، بجای توابع جایگزیده n(r)، هزینه بالای محاسباتی باید پرداخت شود.
دومین راه، محاسبه تحول زمانی تابعی چگالی برای سامانهای است كه در معرض یك پتانسیل خارجی وابسته به زمان قرار گرفته است. تابع پاسخ χ، برای مثال، بطور مستقیم از رابطه پاسخ خطی بین تغییرات پتانسیل خارجی و چگالی القاء شده بدست میآید . این روش باعث تعمیم نظریه تابعی چگالی به نظریه تابعی چگالی وابسته به زمان[11](TDDFT) [16- 12] میشود. با مبنا قرار دادن نظریه رانگ- گراس[12]، میتوان بطور مستقیم خط سیر مکانیک کوانتومی در TDDFT از سامانه تحت تاثیر توسط پتانسیل خارجی وابسته به زمان را، از طریق بررسی کمیت مورد نظر در بینهایت (به جای به کمینه رسانیدن انرژی کل، آنطوری که برای حالت پایه انجام شد)، مشابه با مکانیک کلاسیک، بدست آورد. بنابراین میتوان معادلات کوهن- شم وابسته به زمان را بصورت تعمیمی از حالت استاتیک بدست آورد و از آنها توابع پاسخ توضیح دهنده برانگیختگیهای طبیعی سامانه را محاسبه کرد. در این حالت، مشکل پیدا کردن تقریبهای مناسب برای پتانسیل همبستگی- تبادلی وابسته به زمان vxc[n](r,t) میباشد. باید توجه داشت که وابستگی تابعی به چگالی در کل فضا و در همه زمانهای گذشته میباشد. تقریبهای زیادی برای سامانههای محدود پیشنهاد و امتحان شدهاند. حتی تقریب بسیار ساده چگالی موضعی بیدرو[13](ALDA که میتوان آن را LDA وابسته به زمان نیز نامید) که بصورت داده میشود، در بسیاری از موارد بسیار موفق بوده است [12و 17].
امروزه، استفاده از روشهایی نظیر GW ، BSE و TDDFT بطور مداوم در حال گسترش است که در آن برهمکنشها مهم میباشند. البته حل مستقیم معادله شرودینگر امکانپذیر نمیباشد. پژوهش حاضر حاوی مرور و بررسی روشهای MBPT، GW و BSE، برای سامانههای پیچیده درزمینههای نانوفناوری، ذخیره دادهها و الکترونیک نوری[14] میباشد.
فصل اول: نظریه تابعی چگالی
1-1- نظریه تابعی چگالی
از آنجاییکه پژوهش حاضر مربوط به شبیهسازی نظری سامانههای واقعی مورد استفاده در فن آوریهای قابل سنجش میباشد، از روشهای بكارگیری شده و مؤثر برای موفقیت این مطالعه استفاده میكنیم. برای درك خواص حالت پایه الكترونی سامانه، از روش محاسبات اولیه[1] بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) بهره گرفتهایم. گرچه كارآیی نظریه تابعی چگالی شناخته شده است اما برای در نظر گرفتن خصوصیتهای حالت برانگیخته، مربوط به برانگیختگیهای طبیعی و بار نظیر انتشار و جذب اپتیکی، مجبور به استفاده از نظریه اختلال بس- ذرهای(MBPT) خواهیم بود.
بنابراین این بخش و بخش بعدی را با خلاصهای از بعضی ویژگیهای مهم و البته شناخته شده مربوط به روشهای DFT و MBPT مورد استفاده در كدهای كامپیوتری، برای سامانه مورد نظر دنبال می كنیم.
[چهارشنبه 1399-10-17] [ 03:14:00 ق.ظ ]
|