دانلود پایان نامه ارشد: امکان سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن

2-5-وضعیت نیمه هادی به عنوان ماده فعال لیزر در هنگام دمش توسط منبع انرژی.. 17

2-6-شرط لازم نیمه هادی برای رسیدن به تقویت نوری بعد از دمش…. 19

2-7-گرافن به عنوان ماده فعال لیزر بعد از دمش…. 21

3فصل سوم: بررسی حاملهای گرافن.. 23

3-1-مقدمه. 24

3-2-معرفی طیف نگاری دمش-کاوشگر. 25

3-2-1-طیف نگاری دمش-کاوشگر تبهگن.. 26

3-2-2-طیف نگاری دمش-کاوشگر غیر تبهگن.. 26

3-2-3-چگونگی اندازهگیری واهلش حاملها با طیف نگاری دمش-کاوشگر. 27

3-3-نتیجه طیف نگاری دمش-کاوشگر در مورد واهلش حاملها در گرافن.. 28

3-4-نتیجه طیف نگاری دمش-کاوشگر در مورد خواص نوری گرافن.. 31

3-5-چگونگی مدل کردن گرافن برای شبیه سازی تقویت(براساس نتایج طیف نگاری) 33

3-5-1-مدل اول(مدل پدیده شناختی) 33

3-5-2-مدل دوم(معادله انتقال بولتزمن) 34

4فصل چهارم: بررسی جمعیت وارون در گرافن 37

4-1-مقدمه. 38

4-2-محاسبه رسانندگی الکتریکی گرافن.. 38

4-3-رابطه رسانندگی و تقویت نوری.. 44

4-4-بررسی جمعیت وارون در گرافن از روش پدیده شناختی.. 45

4-5-بررسی جمعیت وارون در گرافن با روش تابع انتقال بولتزمن.. 55

5فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهادات… 70

منابع…………………………………………………………………………………………………………………………………….71

چکیده و صفحه عنوان به انگلیسی

فهرست شکلها

عنوان صفحه

شکل ‏1‑1 ساختار لانه زنبوری گرافن با دو اتم در هر سلول واحد. 3

شکل ‏1‑2 ساختار نواری گرافن.. 3

شکل ‏1‑3 ذره ای که از محیط 1 می آید اگر نسبیتی باشد طبق پارادوکس کلین از سد عبور
می کند و به محیط 2 می رود. 6

شکل ‏1‑4 نسبت جرم جمعی الکترون ها m_cدر گرافن به جرم الکترون m_eدر گرافن تحت
ولتاژهای گیت v_bمختلف که v_b0آلاییدگی اولیه گرافن را نشان می دهد.
نمودار a مربوط به اندازه گیری در دمای 30 K و نمودار b مربوط به 296
K است.خطوط عمودی در نمودار نشان دهنده خطا است[16]. 9

شکل ‏1‑5 نوع عملکرد گرافن به عنوان پیل سوختی [17] 10

مختلف الف-نیمه هادی نوع
n که سطح فرمی به نوار رسانش نزدیک شده است. ب- نیمه هادی بدون
آلاییدگی. ج- نیمه هادی نوع p که سطح فرمی به نوار ظرفیت نزدیک
شده است. 18

برای نوار ظرفیت داریم. 19

شکل ‏3‑1 طیف نگار دمش کاوشگر تبهگن[29] 26

شکل ‏3‑2 طیف نگار دمش کاوشگر تبهگن[29] 27

شکل ‏3‑3 فرآیندهای بازترکیب در گرافن بعد از برخورد پالس…. 29

شکل ‏3‑4 فرآیند اوژه برای a-الکترون ها و b-حفره ها [35]. 30

شکل ‏3‑5 تغییرات عبور که با نشان داده شده بر حسب زمان سپری شده از برخورد
پالس با دقت 85 fs 31

.. 39

. 43

. 44

شکل‏4‑4 مقایسه تابع اصلیخط و تابع بسط داده شده
خط چین.. 48

شکل‏4‑5مقایسه تابع اصلیخط و تابع بسط داده شده
خط چین.. 48

شکل‏4‑6مقایسه تابع اصلیخط و تابع بسط داده شده
خط چین.. 49